发明

一种低介低损耗LTCC材料及其制备方法和生瓷带2025

2024-04-16 07:25:13 发布于四川 8
  • 申请专利号:CN202410064079.8
  • 公开(公告)日:2025-09-23
  • 公开(公告)号:CN117865663A
  • 申请人:中国电子科技集团公司第四十三研究所
摘要:本发明涉及一种低介低损耗LTCC材料及其制备方法和生瓷带,所述低介低损耗LTCC材料由陶瓷填充相和玻璃低烧助剂混合制备而成,其中,所述陶瓷填充相为镧硼硅酸盐系微波介质陶瓷LaBSiO5,所述玻璃低烧助剂为La2O3‑B2O3玻璃。本发明低介低损耗LTCC材料以具有低介低损耗特性且烧结温度较低(<1200℃)的镧硼硅酸盐系微波介质陶瓷为陶瓷填充相,以La2O3‑B2O3玻璃为玻璃低烧助剂,降低了陶瓷玻璃体系的损耗,降低了低介低损耗LTCC材料的烧结温度,使得LaBSiO5系材料能够在低于900℃的温度范围内烧结,且具有优异的微波介电性能,使得采用LTCC生瓷带制备成的LTCC基板材料具有较低的介电常数和介电损耗。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117865663 A (43)申请公布日 2024.04.12 (21)申请号 202410064079.8 (22)申请日 2024.01.16 (71)申请人 中国电子科技集团公司第四十三研 究所 地址 230088 安徽省合肥市高新技术开发 区合欢路19号 (72)发明人 吕洋 兰耀海 王明明 魏启鹏  王飞 马涛  (74)专利代理机构 合肥天明专利事务所(普通 合伙) 34115 专利代理师 叶美琴 (51)Int.Cl. C04B 35/16 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图4页 (54)发明名称 一种低介低损耗LTCC材料及其制备方法和 生瓷带 (57)摘要 本发明涉及一种低介低损耗LTCC材料及其 制备方法和生瓷带,所述低介低损耗LTCC材料由 陶瓷填充相和玻璃低烧助剂混合制备而成,其 中,所述陶瓷填充相为镧硼硅酸盐系微波介质陶 瓷LaBSiO ,所述玻璃低烧助剂为La O ‑B O 玻 5 2 3 2 3 璃。本发明低介低损耗LTCC材料以具有低介低损 耗特性且烧结温度较低(<1200℃)的镧硼硅酸 盐系微波介质陶瓷为陶瓷填充相,以La O ‑B O 2 3 2 3 玻璃为玻璃低烧助剂,降低了陶瓷玻璃体系的损 耗,降低了低

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