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发明

基于关注区域的缺陷检测

2023-08-25 07:23:42 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202310032591.X
  • 公开（公告）日：2025-08-12
  • 公开（公告）号：CN116631886A
  • 申请人：应用材料以色列公司
摘要：提供了辅助半导体样品上的缺陷检测的系统和方法。所述方法包括：获得提供管芯上的要检查的多个关注区域(CA)的信息的第一图；创建包围多个CA的多个边界矩形(BR)；以及将多个BR压缩为压缩矩形集合以满足预定义的检查容量，同时尝试最小化由压缩矩形集合包围的非CA区域，从而产生提供压缩矩形集合的信息的第二图。所述压缩包括构造表示多个BR和压缩矩形的R树结构，并且基于预定义的检查容量从R树结构中选择节点集合，所述节点集合表示压缩矩形集合。所述第二图可用于过滤指示管芯上的缺陷候选分布的缺陷图。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116631886 A (43)申请公布日 2023.08.22 (21)申请号 202310032591.X G06T 7/00 (2017.01) G06T 17/00 (2006.01) (22)申请日 2023.01.10 G06V 10/25 (2022.01) (30)优先权数据 17/671,517 2022.02.14 US (71)申请人 应用材料以色列公司 地址 以色列瑞哈佛特市 (72)发明人 S ·考特卡尔　S ·劳特　 S ·K ·伊赛提　N ·M ·S ·钱丹　 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公 司 31100 专利代理师 侯颖媖　张鑫 (51)Int.Cl. H01L 21/66 (2006.01) G01N 21/88 (2006.01) G01N 21/95 (2006.01) 权利要求书3页 说明书14页 附图8页 (54)发明名称 基于关注区域的缺陷检测 (57)摘要 提供了辅助半导体样品上的缺陷检测的系 统和方法。所述方法包括 ：获得提供管芯上的要 检查的多个关注区域(CA)的信息的第一图 ；创建 包围多个CA的多个边界矩形(BR) ；以及

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