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单相全光谱白光荧光材料及其制备方法和应用

2023-07-16 07:26:39 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202310426473.7
  • 公开(公告)日:2024-11-08
  • 公开(公告)号:CN116425522A
  • 申请人:深圳信息职业技术学院
摘要:本发明涉及荧光材料技术领域,尤其是涉及一种单相全光谱白光荧光材料及其制备方法和应用。单相全光谱白光荧光材料,为Ba3MgSi2O8陶瓷材料。本发明的Ba3MgSi2O8荧光陶瓷,为单相全光谱白光荧光材料,且发光主要来自于氧空位缺陷发光,非稀土离子能级跃迁发光,成本低,解决了现有全光谱白光主要来源于稀土离子发光的局限的问题。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116425522 A (43)申请公布日 2023.07.14 (21)申请号 202310426473.7 (22)申请日 2023.04.11 (71)申请人 深圳信息职业技术学院 地址 518100 广东省深圳市龙岗区龙城街 道龙翔大道2188号 (72)发明人 唐巍 管明祥 梁平 宁婉婷  卢忱 陈煜 唐辉  (74)专利代理机构 北京超凡宏宇专利代理事务 所(特殊普通合伙) 11463 专利代理师 王焕 (51)Int.Cl. C04B 35/20 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C09K 11/59 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图5页 (54)发明名称 单相全光谱白光荧光材料及其制备方法和 应用 (57)摘要 本发明涉及荧光材料技术领域,尤其是涉及 一种单相全光谱白光荧光材料及其制备方法和 应用。单相全光谱白光荧光材料,为Ba MgSi O 陶 3 2 8 瓷材料。本发明的Ba MgSi O 荧光陶瓷,为单相全 3 2 8 光谱白光荧光材料,且发光主要来自于氧空位缺 陷发光,非稀土离子能级跃迁发光,成本低,解决 了现有全光谱白光主要来源于稀土离子发光的 局限的问题。 A 2 2 5 5 2 4

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