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静电保护电路及芯片

2023-05-25 12:10:35 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN201910615957.X
  • 公开(公告)日:2025-04-11
  • 公开(公告)号:CN112217185A
  • 申请人:长鑫存储技术有限公司
摘要:本公开提供一种静电保护电路,包括:第一静电旁路,包括第一P型晶体管,漏极耦接于第一节点,源极耦接于第一电压,栅极通过第一电阻模块连接于第二电压,第一节点电连接于信号输入引脚;第二静电旁路,包括第一N型晶体管,漏极耦接于第一节点,源极耦接于第二电压,栅极通过第二电阻模块连接于第一电压;输入缓冲电路,至少包括栅极耦接于第二节点的第二N型晶体管和第二P型晶体管;第三N型晶体管,耦接于第一节点、第二节点,控制端耦接于第三节点;控制模块,耦接于第一电压、第二电压、第三节点,用于控制第三N型晶体管在ESD电流产生时关断。本公开实施例可以克服MOS管栅氧化层厚度降低导致的GGNMOS电路保护功能失效问题。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112217185 A (43)申请公布日 2021.01.12 (21)申请号 201910615957.X (22)申请日 2019.07.09 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230000 安徽省合肥市经济技术开发 区翠微路6号海恒大厦630室 (72)发明人 许杞安  (74)专利代理机构 北京律智知识产权代理有限 公司 11438 代理人 孙宝海 袁礼君 (51)Int.Cl. H02H 9/04(2006.01) H01L 27/02(2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 静电保护电路及芯片 (57)摘要 本公开提供一种静电保护电路,包括:第一 静电旁路,包括第一P型晶体管,漏极耦接于第一 节点,源极耦接于第一电压,栅极通过第一电阻 模块连接于第二电压,第一节点电连接于信号输 入引脚;第二静电旁路,包括第一N型晶体管,漏 极耦接于第一节点,源极耦接于第二电压,栅极 通过第二电阻模块连接于第一电压;输入缓冲电 路,至少包括栅极耦接于第二节点的第二N型晶 体管和第二P型晶体管;第三N型晶体管,耦接于 第一节点、第二节点,控制端耦接于第三节点;控 制模块,耦接于第一电压、第二电压、第三节点, 用于控制第三N型晶体管在ESD电流产生时关断。 A 本公开实施例可以

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