一种二氧化碲单晶的生长方法及其生长装置

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116103746 A (43)申请公布日 2023.05.12 (21)申请号 202211584868.1 (22)申请日 2022.12.09 (71)申请人 中国科学院福建物质结构研究所 地址 350002 福建省福州市鼓楼区杨桥西 路155号 (72)发明人 涂朝阳　王燕　李坚富　朱昭捷　 (74)专利代理机构 北京元周律知识产权代理有 限公司 11540 专利代理师 张莹 (51)Int.Cl. C30B 11/00 (2006.01) C30B 29/46 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图5页 (54)发明名称 一种二氧化碲单晶的生长方法及其生长装 置 (57)摘要 本申请公开了一种二氧化碲单晶的生长方 法及其生长装置。晶体在生长过程中匀速旋转和 多根同时生长。克服了坩埚下降法生长二氧化碲 晶体下降过程中单一降温导致的晶体中包裹、条 纹等缺陷，还克服了之前只能单根生长、成本相 对较高的缺点。得到的二氧化碲单晶质量高，缺 陷少，成品率高，易于生产且成本降低，可生长出 尺寸 φ60mm*80mm的优质单晶。 A 6 4 7 3 0 1 6 1 1 N C CN 116103746 A 权　利　要　求　书 1/2页 1.一种二氧化碲单晶的生长方法，其特征在于