发明

用于制备近红外光屏蔽薄膜的铯钨青铜陶瓷靶材及其制备方法2024

2024-04-07 07:34:17 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202410056045.4
  • 公开(公告)日:2024-04-05
  • 公开(公告)号:CN117819967A
  • 申请人:郑州大学|||中原关键金属实验室
摘要:本发明公开了一种用于制备近红外光屏蔽薄膜的铯钨青铜陶瓷靶材及其制备方法。该制备方法包括:称取设定量的铯钨青铜粉体;在热压模具中铺展一层石墨纸或喷涂一层氮化硼喷剂,然后再铺展一层防污染材料;将铯钨青铜粉体放入热压模具中压实,并对热压模具进行封口,放入热压烧结炉中预压制铯钨青铜粉体;调节参数,对铯钨青铜粉体进行热压烧结,得到铯钨青铜烧结坯体;将得到的铯钨青铜烧结坯体进行机加工处理,得到铯钨青铜陶瓷靶材。制备得到的铯钨青铜陶瓷靶材微观组织均匀、晶粒细小、致密度大于98%,成分均匀、纯度大于99.9%、满足后续磁控溅射镀膜的要求,成本低,磁控溅射得到的铯钨青铜薄膜近红外光屏蔽效果好,可见光透过率高,使用寿命长。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117819967 A (43)申请公布日 2024.04.05 (21)申请号 202410056045.4 C04B 35/622 (2006.01) (22)申请日 2024.01.15 (71)申请人 郑州大学 地址 450001 河南省郑州市高新技术开发 区科学大道100号 申请人 中原关键金属实验室 (72)发明人 张龙振 何新 吴小超 李庆奎  王成铎 姚曙光 何季麟  (74)专利代理机构 北京卫智易创专利代理事务 所(普通合伙) 16015 专利代理师 朱春野 (51)Int.Cl. C04B 35/495 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图3页 (54)发明名称 用于制备近红外光屏蔽薄膜的铯钨青铜陶 瓷靶材及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种用于制备近红外光屏蔽 薄膜的铯钨青铜陶瓷靶材及其制备方法。该制备 方法包括:称取设定量的铯钨青铜粉体;在热压 模具中铺展一层石墨纸或喷涂一层氮化硼喷剂, 然后再铺展一层防污染材料;将铯钨青铜粉体放 入热压模具中压实,并对热压模具进行封口,放 入热压烧结炉中预压制铯钨青铜粉体;调节参 数,对铯钨青铜粉体进行热压烧结,得到铯钨青 铜烧结坯体;将得

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