用于制备近红外光屏蔽薄膜的铯钨青铜陶瓷靶材及其制备方法2024
- 申请专利号:CN202410056045.4
- 公开(公告)日:2024-04-05
- 公开(公告)号:CN117819967A
- 申请人:郑州大学|||中原关键金属实验室
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117819967 A (43)申请公布日 2024.04.05 (21)申请号 202410056045.4 C04B 35/622 (2006.01) (22)申请日 2024.01.15 (71)申请人 郑州大学 地址 450001 河南省郑州市高新技术开发 区科学大道100号 申请人 中原关键金属实验室 (72)发明人 张龙振 何新 吴小超 李庆奎 王成铎 姚曙光 何季麟 (74)专利代理机构 北京卫智易创专利代理事务 所(普通合伙) 16015 专利代理师 朱春野 (51)Int.Cl. C04B 35/495 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图3页 (54)发明名称 用于制备近红外光屏蔽薄膜的铯钨青铜陶 瓷靶材及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种用于制备近红外光屏蔽 薄膜的铯钨青铜陶瓷靶材及其制备方法。该制备 方法包括:称取设定量的铯钨青铜粉体;在热压 模具中铺展一层石墨纸或喷涂一层氮化硼喷剂, 然后再铺展一层防污染材料;将铯钨青铜粉体放 入热压模具中压实,并对热压模具进行封口,放 入热压烧结炉中预压制铯钨青铜粉体;调节参 数,对铯钨青铜粉体进行热压烧结,得到铯钨青 铜烧结坯体;将得