一种羟基终端半导体材料的制备方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115786887 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211419846.X (22)申请日 2022.11.14 (71)申请人 西安交通大学 地址 710048 陕西省西安市碑林区咸宁西 路28号 (72)发明人 李奉南　马飞　王琛　 (74)专利代理机构 西安通大专利代理有限责任 公司 61200 专利代理师 钱宇婧 (51)Int.Cl. C23C 16/511 (2006.01) C23C 16/44 (2017.01) C01B 32/28 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种羟基终端半导体材料的制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种羟基终端半导体材料的 制备方法，该制备方法首先进行氢化处理，使得 半导体材料表面有氢终端，然后通过高压电解低 产生的氢氧根离子对金刚石表面进行羟基化处 理，该方法是一种高效、清洁且安全的金刚石表 面羟基化方法，只需在去离子水等离子液体中进 行，无需添加任何的化学试剂，保证了样品表面 不会引入杂质，并且大幅度降低了处理成本，羟 基化程度更高，适用于缺陷密度更低的高质量羟 基终端金刚石表面的制备。 A 7 8 8 6 8 7 5 1 1 N C CN 115786887 A 权　利　要　求　书