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发明

一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法

2023-04-26 09:15:26 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202310018194.7
  • 公开（公告）日：2025-03-14
  • 公开（公告）号：CN115992385A
  • 申请人：山东晶镓半导体有限公司
摘要：本发明属于半导体光电材料制备技术领域，涉及一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法。在蓝宝石衬底上生长GaN之前，通过氢化物气相外延系统对蓝宝石衬底进行氮化形成高密度AlNxO1‑x突起，然后相继在蓝宝石衬底上形成GaN纳米柱、低温GaN缓冲层、高温GaN层，最终得到GaN单晶衬底。其中，AlNxO1‑x突起，能够降低GaN在蓝宝石衬底上的形成能，便于GaN的外延生长，低温GaN缓冲层能够缓解蓝宝石衬底与GaN间晶格失配产生的应力，能够避免裂纹的出现。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115992385 A (43)申请公布日 2023.04.21 (21)申请号 202310018194.7 (22)申请日 2023.01.06 (71)申请人 山东大学 地址 250100 山东省济南市历下区山大南 路27号 (72)发明人 张雷　齐占国　俞娇仙　王守志　 王国栋　刘磊　 (74)专利代理机构 济南格源知识产权代理有限 公司 37306 专利代理师 张蕾 (51)Int.Cl. C30B 25/18 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) C30B 29/40 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬 底的方法 (57)摘要 本发明属于半导体光电材料制备技术领域， 涉及一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬 底的方法。在蓝宝石衬底上生长GaN之前，通过氢 化物气相外延系统对蓝宝石衬底进行氮化形成 高密度AlN O 突起，然后相继在蓝宝石衬底上 x 1‑x 形成GaN纳米柱、低温GaN缓冲层、高温GaN层，最 终得到GaN单晶衬底。其中，AlN O 突起，能够降 x 1‑x 低GaN在蓝宝石衬底上的形成能，便于GaN的外延 生长，低温GaN缓冲层能够缓解蓝宝石衬底与GaN

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