基于膜电容去离子技术的单级高倍盐浓缩方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116253408 A (43)申请公布日 2023.06.13 (21)申请号 202310160120.7 (22)申请日 2023.02.24 (71)申请人 清华大学 地址 100084 北京市海淀区清华园 (72)发明人 梁鹏　郜铁　 (74)专利代理机构 北京华进京联知识产权代理 有限公司 11606 专利代理师 王赛 (51)Int.Cl. C02F 1/469 (2023.01) C02F 1/461 (2023.01) B01D 61/44 (2006.01) B01D 61/48 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 基于膜电容去离子技术的单级高倍盐浓缩 方法 (57)摘要 本发明提供了一种基于膜电容去离子技术 的单级高倍盐浓缩方法，包括如下步骤：S1.通入 待处理液并采用正向电压对电极进行充电 ，当电 极的电量达到电极的容量的80～100％时，停止 通入所述待处理液 ；S2 .通入浓缩液母液并采用 反向电压对电极进行放电 ，当电极的电量达到电 极的容量的50～70％时，停止通入所述浓缩液母 液；S3 .通入待处理液并采用正向电压对电极进 行充电 ，当电极的电量达到电极的容量的80～ 100％时，停止通入所述待处理液；循环步骤S2和 步骤S3直至待处理液处理完毕；其中，电极的容 A 量为电极达到吸附饱和状态时所具有的电量。该 8 单级高倍盐浓