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发明

预退火处理的非晶纳米晶绝缘成品粉末的制备方法

2023-04-27 13:22:45 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202111448609.1
  • 公开（公告）日：2024-06-18
  • 公开（公告）号：CN114147220A
  • 申请人：佛山中研磁电科技股份有限公司
摘要：本发明提供的一种预退火处理的非晶纳米晶绝缘成品粉末的制备方法，其包括以下步骤：S1、获取有非晶纳米晶粉末并对其进行绝缘包覆处理，以得到有包覆粉末；S2、对所得包覆粉末进行预退火处理，以促进该包覆粉末的绝缘钝化反应；S3、对预退火处理所得的包覆粉末进行成型处理，以得到有非晶纳米晶绝缘成品粉末；本发明通过其制备方法应用，以有效地对包覆粉末进行预退火处理，有效释放包覆粉末在前提制备过程中所产生的应力，并且有效地促进其包覆粉末的绝缘钝化反应，生成有致密稳定的绝缘包覆层；实现了其制备所得的非晶纳米晶绝缘成品粉末性能的提升。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114147220 A (43)申请公布日 2022.03.08 (21)申请号 202111448609.1 B22F 9/08 (2006.01) H01F 1/153 (2006.01) (22)申请日 2021.11.30 H01F 1/33 (2006.01) (66)本国优先权数据 H01F 41/02 (2006.01) 202011378062.8 2020.11.30 CN C22C 45/02 (2006.01) (71)申请人 佛山市中研非晶科技股份有限公司 C22C 38/34 (2006.01) 地址 528000 广东省佛山市南海区里水和 C22C 38/04 (2006.01) 桂工业园B区顺景大道15号 C22C 38/32 (2006.01) C22C 38/54 (2006.01) (72)发明人 王策　陈卫红　宗伟　胡丽红　 C22C

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