镭射印字路径规划方法和镭射装置

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114434012 A (43)申请公布日 2022.05.06 (21)申请号 202210062102.0 (22)申请日 2022.01.19 (71)申请人 甬矽半导体（宁波）有限公司 地址 315400 浙江省宁波市余姚市中意宁 波生态园兴舜路22号 (72)发明人 郑多雄　杜如霞　李典展　李湘渝　 (74)专利代理机构 北京超凡宏宇专利代理事务 所(特殊普通合伙) 11463 专利代理师 戴尧罡 (51)Int.Cl. B23K 26/362 (2014.01) B23K 26/70 (2014.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 镭射印字路径规划方法和镭射装置 (57)摘要 本发明的实施例提供了一种镭射印字路径 规划方法和镭射装置，涉及镭射印刻技术领域。 该镭射印字路径规划方法包括确定目标图案的 镭射起始位置；依据所述起始位置，采用绕线式 填充在所述目标图案内形成路径线条；调整所述 路径线条的间距；沿调整间距后的所述路径线条 进行镭射印刻。采用绕线式填充的方式可以将目 标图案填充的更满、镭射效果更好；并且，采用绕 线式填充的路径可以大大减少机台运行的空行 程，镭射效率更高，节省大量的时间。 A 2 1 0 4 3 4 4 1 1 N C CN 114434012 A 权　利　要　求　书