一种掩埋异质结激光器制备方法2024

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117013366 A (43)申请公布日 2023.11.07 (21)申请号 202310959666.9 (22)申请日 2023.07.31 (71)申请人 武汉云岭光电股份有限公司 地址 430223 湖北省武汉市东湖新技术开 发区长城园路2号武汉澳新科技1号厂 房102室 (72)发明人 郭娟　李鸿建　 (74)专利代理机构 北京汇泽知识产权代理有限 公司 11228 专利代理师 张小丽 (51)Int.Cl. H01S 5/32 (2006.01) H01S 5/20 (2006.01) H01S 5/22 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图7页 (54)发明名称 一种掩埋异质结激光器制备方法 (57)摘要 本发明涉及一种掩埋异质结激光器制备方 法，包括S1，于衬底上依次生长InP缓冲层和光栅 层，接着进行光栅制作，并整面生长光栅掩埋层、 有源层、InP层以及牺牲层，S2，接着生长波导掩 膜层，S3，将波导掩膜层以外区域刻蚀到InP缓冲 层，再将波导掩膜层以外区域腐蚀到衬底，S4，接 着依托波导掩膜层进行P型InP的掩埋生长；S5， 去掉波导掩膜层下牺牲层两侧的部分材料；S6， 再进行N型InP的掩埋生长，其中N型InP的生长会 填充两侧腐蚀掉的牺牲层；S7，去掉波导掩膜层 和牺牲层，整面生长P型盖层和接触层，完成掩埋 异质结电流阻挡层的制作。本发明一