一种n型半导体金刚石材料的制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116180237 A (43)申请公布日 2023.05.30 (21)申请号 202310155639.6 (22)申请日 2023.02.23 (71)申请人 四川大学 地址 610000 四川省成都市一环路南一段 24号 (72)发明人 贺端威　郭睿昂　 (74)专利代理机构 成都科海专利事务有限责任 公司 51202 专利代理师 黄幼陵 (51)Int.Cl. C30B 31/02 (2006.01) C30B 29/04 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图5页 (54)发明名称 一种n型半导体金刚石材料的制备方法 (57)摘要 本发明所述n型半导体金刚石材料的制备方 法，工艺步骤如下：(1)单晶金刚石的预处理，以 去除单晶金刚石表面的杂质；(2)掺杂坯体的制 备，将预处理后的单晶金刚石置于n型掺杂物质 的单质粉体或化合物粉体中模压成型，或者将n 型掺杂物质的单质粉体或化合物粉体放入箔材 或无机非金属材料容器中，再将预处理后的单晶 金刚石置于n型掺杂物质的单质粉体或化合物粉 体中模压成型 ；(3)将掺杂坯体放入静高压设备 中，在确定的掺杂压力和掺杂温度保温保压进行 热扩散掺杂，热扩散掺杂完成后，清洗去除包裹 材料和掺杂后的金刚石表面杂质并干燥，即得到 A 晶格完整、掺杂浓度高、性能优良的n型半导体金 7 刚石材料。 3 2 0 8 1 6 1 1 N C