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溅射金属靶材及其制备方法和应用

2023-05-14 12:01:39 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202210333514.3
  • 公开(公告)日:2024-07-02
  • 公开(公告)号:CN114657526A
  • 申请人:长沙惠科光电有限公司|||惠科股份有限公司
摘要:本申请涉及半导体器件领域,公开了溅射金属靶材及其制备方法和应用。本申请所述溅射金属靶材制备工艺包括制备溅射金属靶材粉末、制备素坯、分段脱胶和高温烧结工序;其中,所述制备溅射金属靶材粉末通过静电纺丝工艺制备获得。本申请首次开发了使用静电纺丝法将金属的醋酸盐合成溅射金属靶材的制备工艺,所制备的合金靶材粉末达到纳米级,介于50‑200nm,本申请溅射金属靶材及其制备方法不仅增加了靶材粉末制备的新方式,而且更小粒径的靶材有利于混合的均一性,能够保证后续磁控溅射方式下金属薄膜的性能,优于常规的溶胶‑凝胶工艺。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114657526 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202210333514.3 B22F 9/04 (2006.01) D01D 5/00 (2006.01) (22)申请日 2022.03.30 (71)申请人 长沙惠科光电有限公司 地址 410324 湖南省长沙市浏阳经济技术 开发区康平路109号 申请人 惠科股份有限公司 (72)发明人 姜庆 袁海江  (74)专利代理机构 北京华夏泰和知识产权代理 有限公司 11662 专利代理师 刘敏 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) B22F 3/02 (2006.01) B22F 3/10 (2006.01) B22F 3/24 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 溅射金属靶材及其制备方法和应用 (57)摘要 本申请涉及半导体器件领域,公开了溅射金 属靶材及其制备方法和应用。本申请所述溅射金 属靶材制备工艺包括制备溅射金属靶材粉末、制 备素坯、分段脱胶和高温烧结工序;其中,所述制 备溅射金属靶材粉末通过静电纺丝工艺制备获 得。本申请首次开发了使用静电纺丝法将金属的 醋酸盐合成溅射金属靶材的制备工艺

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