一种PMN-PZT基铅基压电陶瓷及其制备方法和应用2026
- 申请专利号:CN202410214659.0
- 公开(公告)日:2026-04-17
- 公开(公告)号:CN118084487A
- 申请人:苏州思若梅克电子科技有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118084487 A (43)申请公布日 2024.05.28 (21)申请号 202410214659.0 (22)申请日 2024.02.27 (71)申请人 苏州思若梅克电子科技有限公司 地址 215000 江苏省苏州市昆山开发区春 旭路168号帝宝金融大厦第19层1905 室 (72)发明人 郇宇 韩同鑫 (74)专利代理机构 山东知圣律师事务所 37262 专利代理师 纪艳艳 (51)Int.Cl. C04B 35/491 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) B06B 1/06 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图14页 (54)发明名称 一种PMN-PZT基铅基压电陶瓷及其制备方法 和应用 (57)摘要 本发明属于陶瓷材料制备方法技术领域,具 体涉及一种PMN‑PZT基铅基压电陶瓷及其制备方 法和应用。所述PMN‑PZT基三元铅基压电陶瓷的 化学通式为 (Pb Sr )(Mg Nb ) 1 ‑x x 0 .3 3 0 .6 7 0 .2 (ZrTi ) ‒zwt%MnCO ,其中,0.01≤x≤0.12, y 1‑y 0.8 3 0.47≤y≤0.53,0.1≤z≤1。所述铅基压电陶瓷 的制备方法采用以下步骤:按照化学通式中各元 素的计量关系称取原料进行球磨,预烧,得到粉 体;按
原创力.专利