一种应力呈均向分布的碳化硅晶片及无损且精确测定晶片各向应力的方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116657249 A (43)申请公布日 2023.08.29 (21)申请号 202310637184.1 (22)申请日 2023.05.31 (71)申请人 上海天岳半导体材料有限公司 地址 201306 上海市浦东新区中国 （上海） 自由贸易试验区临港新片区鸿音路 1211号10幢301室 (72)发明人 宋猛　王旗　王凯　刘硕　徐光明　 高超　舒天宇　彭红宇　 (74)专利代理机构 北京君慧知识产权代理事务 所(普通合伙) 11716 专利代理师 邢伟 (51)Int.Cl. C30B 29/36 (2006.01) G01L 5/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图4页 (54)发明名称 一种应力呈均向分布的碳化硅晶片及无损 且精确测定晶片各向应力的方法 (57)摘要 本申请公开了一种应力呈均向分布的碳化 硅晶片及无损且精确测定晶片各向应力的方法， 属于碳化硅晶片及其应力检测技术领域。该测定 方法包括下述步骤 ：(1)对晶片进行XRD衍射测 试，测试过程中对晶片进行面内和面间旋转，得 到至少6个衍射晶面下的测试结果，将不同衍射 晶面的衍射峰与无应力晶片中对应衍射晶面的 标准峰进行比较，获得晶片的各向应变值；(2)根 据各向应变值和弹性常数计算晶片的各向应力。 该方法能够实现对晶片各向应力的无损和精准 检测，为晶片各向应力的分析提供了新思路