发明

一种磁场辅助小分子物质结晶的方法及其应用

2023-05-16 10:30:45 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202210333599.5
  • 公开(公告)日:2024-07-23
  • 公开(公告)号:CN114736994A
  • 申请人:中国科学院合肥物质科学研究院
摘要:本发明公开了一种磁场辅助小分子物质结晶的方法及其应用,所述方法包括:将小分子物质溶解于水中,分装入结晶培养板的结晶孔中,置于放在晶体培养箱中的磁板上,静置培养结晶;磁板的磁场方向为N极向上;结晶孔底部所处的磁感应强度范围为0.0001761‑0.11715T,平均磁感应强度为0.0357191T;或结晶孔底部所处磁感应强度的范围为0.0002265‑0.22453T,平均磁感应强度为0.0584971T。本发明所述磁场辅助小分子物质结晶的方法能同时调控晶体结晶的热力学和动力学,促进晶核形成和晶体生长,提高生产的速度、效率和稳定性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114736994 A (43)申请公布日 2022.07.12 (21)申请号 202210333599.5 (22)申请日 2022.03.31 (71)申请人 中国科学院合肥物质科学研究院 地址 230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖 路350号 (72)发明人 张欣 张翔飞 谢灿  (74)专利代理机构 合肥市浩智运专利代理事务 所(普通合伙) 34124 专利代理师 缪璐欢 (51)Int.Cl. C13K 1/10 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图9页 (54)发明名称 一种磁场辅助小分子物质结晶的方法及其 应用 (57)摘要 本发明公开了一种磁场辅助小分子物质结 晶的方法及其应用,所述方法包括:将小分子物 质溶解于水中,分装入结晶培养板的结晶孔中, 置于放在晶体培养箱中的磁板上,静置培养结 晶;磁板的磁场方向为N极向上;结晶孔底部所处 的磁感应强度范围为0.0001761‑0.11715T,平均 磁感应强度为0.0357191T;或结晶孔底部所处磁 感应强度的范围为0.0002265‑0.22453T,平均磁 感应强度为0.0584971T。本发明所述磁场辅助小 分子物质结晶的方法能同时调控晶体结晶的热 力学和动力学,促进晶核形成和晶体生长,提高 A 生产的速度、效率和稳定性。 4 9 9 6 3 7 4 1 1 N C CN 114736994 A

最新专利