一种磁场辅助小分子物质结晶的方法及其应用
- 申请专利号:CN202210333599.5
- 公开(公告)日:2024-07-23
- 公开(公告)号:CN114736994A
- 申请人:中国科学院合肥物质科学研究院
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114736994 A (43)申请公布日 2022.07.12 (21)申请号 202210333599.5 (22)申请日 2022.03.31 (71)申请人 中国科学院合肥物质科学研究院 地址 230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖 路350号 (72)发明人 张欣 张翔飞 谢灿 (74)专利代理机构 合肥市浩智运专利代理事务 所(普通合伙) 34124 专利代理师 缪璐欢 (51)Int.Cl. C13K 1/10 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图9页 (54)发明名称 一种磁场辅助小分子物质结晶的方法及其 应用 (57)摘要 本发明公开了一种磁场辅助小分子物质结 晶的方法及其应用,所述方法包括:将小分子物 质溶解于水中,分装入结晶培养板的结晶孔中, 置于放在晶体培养箱中的磁板上,静置培养结 晶;磁板的磁场方向为N极向上;结晶孔底部所处 的磁感应强度范围为0.0001761‑0.11715T,平均 磁感应强度为0.0357191T;或结晶孔底部所处磁 感应强度的范围为0.0002265‑0.22453T,平均磁 感应强度为0.0584971T。本发明所述磁场辅助小 分子物质结晶的方法能同时调控晶体结晶的热 力学和动力学,促进晶核形成和晶体生长,提高 A 生产的速度、效率和稳定性。 4 9 9 6 3 7 4 1 1 N C CN 114736994 A
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