一种多晶硒薄膜及其制备方法和一种太阳能电池

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115084290 A (43)申请公布日 2022.09.20 (21)申请号 202210789813.8 (22)申请日 2022.07.06 (71)申请人 中国科学院化学研究所 地址 100190 北京市海淀区中关村北一街2 号 (72)发明人 胡劲松　薛丁江　路文博　 (74)专利代理机构 北京中知星原知识产权代理 事务所(普通合伙) 11868 专利代理师 王维佳　艾变开 (51)Int.Cl. H01L 31/0272 (2006.01) H01L 31/0445 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图8页 (54)发明名称 一种多晶硒薄膜及其制备方法和一种太阳 能电池 (57)摘要 本发明涉及一种多晶硒薄膜，其XRD衍射图 谱在以下2θ出现特征峰：23.5°±0.3°、29.7°± 0.3°、41.3°±0.3°、45.3°±0.3°、51.7°±0.3°、 61.2°±0.3°、61.6°±0.3°、65.2°±0.3°、68.2° ±0.3°；并且所述多晶硒薄膜的拟合禁带宽度为 1.7‑1.8eV。本发明还提供了多晶硒薄膜及其制 备方法，是采用基于刮涂的熔融法，通过调控熔 融工作温度，不需要复杂大型设备和大量的溶 剂，解决了目前设备要求高、制备成本高、材料利 用率低的问题，是一种有望工业化生产多晶硒薄 膜的方法。 A 0 9