一种具有掺杂离子连续梯度分布的单晶光纤的生长方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116200818 A (43)申请公布日 2023.06.02 (21)申请号 202310124558.X (22)申请日 2023.02.16 (71)申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 地址 200050 上海市长宁区定西路1295号 (72)发明人 戴云　武安华　张博　寇华敏　 张振　苏良碧　张中晗　 (74)专利代理机构 上海瀚桥专利代理事务所 (普通合伙) 31261 专利代理师 曹芳玲　郑优丽 (51)Int.Cl. C30B 15/36 (2006.01) H01S 3/067 (2006.01) H01S 3/094 (2006.01) C30B 15/04 (2006.01) C30B 33/06 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种具有掺杂离子连续梯度分布的单晶光 纤的生长方法 (57)摘要 本发明涉及一种具有掺杂离子连续梯度分 布的单晶光纤的生长方法，包括 ：将至少两种具 有不同掺杂离子浓度的同质晶体或者陶瓷和无 掺杂离子的同质晶体或者陶瓷切割成方棒；选择 无掺杂离子的方棒为第一籽晶，选择掺杂第一离 子浓度的方棒为第一源棒，利用激光加热基座法 进行单晶光纤的一次正向生长；当掺杂第一离子 浓度的单晶光纤生长至所需长度后，添加掺杂第 二离子浓度的方棒作为源棒进行熔接继续单晶 光纤的一次正向