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含硅膜的高温原子层沉积

2023-06-11 13:04:39 发布于四川 0

申请专利号：CN201980073823.8
公开（公告）日：2024-04-19
公开（公告）号：CN112969817A
申请人：弗萨姆材料美国有限责任公司

摘要：提供了一种用于在600℃或更高的一个或多个温度下在原子层沉积工艺中沉积氧化硅膜的方法和组合物。在一个方面，提供了一种在约600℃至1000℃的一个或多个温度下在反应器中的衬底上沉积氧化硅膜或材料的方法，包括以下步骤：向反应器中引入至少一种选自具有本文所述式I和式II的化合物的卤代碳硅烷前体；用吹扫气体吹扫反应器；将含氧源引入反应器中；和用吹扫气体吹扫反应器；并且其中重复这些步骤直至沉积所需厚度的氧化硅。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112969817 A (43)申请公布日 2021.06.15 (21)申请号 201980073823.8 (74)专利代理机构北京市金杜律师事务所 11256 (22)申请日 2019.10.04 代理人吴亦华　徐志明 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 62/742,056 2018.10.05 US C23C 16/455 (2006.01) 62/743,887 2018.10.10 US C23C 16/40 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 C23C 16/56 (2006.01) 2021.05.08 H01L 21/02 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 H01L 21/66 (2006.01) PCT/US2019/054650 2019.10.04

含硅膜的高温原子层沉积

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