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发明

预成核团簇制备CdSe/ZnSe核/壳幻数团簇的方法2025

2024-02-15 07:49:09 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202311548306.6
  • 公开（公告）日：2025-06-27
  • 公开（公告）号：CN117551458A
  • 申请人：四川大学
摘要：本发明提供了一种CdSe/ZnSe幻数团簇及其制备方法和用途，属于半导体发光材料技术领域。本发明CdSe/ZnSe幻数团簇是核壳结构的幻数团簇，CdSe幻数团簇为核，外面包覆一层ZnSe作为壳；所述CdSe/ZnSe幻数团簇的发射波长为450‑465nm，半峰宽小于15nm。本发明通过在CdSe幻数团簇中加入ZnSe诱导期样品，ZnSe的前驱体化合物分解成ZnSe单体，ZnSe单体包覆CdSe幻数团簇表面形成CdSe/ZnSe幻数团簇。本发明CdSe/ZnSe幻数团簇是在25℃下进行的，该过程不会导致纳米团簇发射峰红移，保证了蓝光的纯度。本发明提供的CdSe/ZnSe幻数团簇是一种发射波长在450‑465nm处，半峰宽小于15nm，无缺陷态发光的蓝光发光材料，为Ⅱ‑Ⅵ族半导体纳米晶在光电器件上的应用提供可能。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117551458 A (43)申请公布日 2024.02.13 (21)申请号 202311548306.6 B82Y 40/00 (2011.01) C01G 11/00 (2006.01) (22)申请日 2023.11.20 (71)申请人 四川大学 地址 610000 四川省成都市武侯区一环路 南一段24号 (72)发明人 栾超然　王莎莎　余睽　陈晓琴　 王喆　 (74)专利代理机构 成都高远知识产权代理事务 所(普通合伙) 51222 专利代理师 肖雯　李高峡 (51)Int.Cl. C09K 11/88 (2006.01) C09K 11/02 (2006.01) B82Y 20/00 (2011.01) B82Y 30/00 (2011.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图1页 (54)发明名称 一种CdSe/ZnSe幻数团簇及其制备方法和用 途 (57)摘要 本发明提供了一种CdSe/ZnSe幻数团簇及其 制备方法和用途，属于半导体发光材料技术领 域。本发明CdSe/ZnSe幻数团簇是核壳结构的幻 数团簇，CdSe幻数团簇为核，外面包覆一层ZnSe 作为壳；所述CdSe/ZnSe幻数团簇的发射波长为

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