一种中、高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法2023
- 申请专利号:CN202310700004.X
- 公开(公告)日:2023-09-15
- 公开(公告)号:CN116752028A
- 申请人:北京理工大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116752028 A (43)申请公布日 2023.09.15 (21)申请号 202310700004.X (22)申请日 2023.06.14 (71)申请人 北京理工大学 地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5 号 (72)发明人 王扬卫 王海云 李琳琳 韩宝锋 程焕武 (74)专利代理机构 北京高沃律师事务所 11569 专利代理师 霍苗 (51)Int.Cl. C22C 32/00 (2006.01) C22C 21/00 (2006.01) B22F 1/12 (2022.01) B22F 3/10 (2006.01) B22F 3/14 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图5页 (54)发明名称 一种中、高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复 合材料的制备方法 (57)摘要 本发明涉及铝基复合材料技术领域,尤其涉 及一种中、高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合 材料的制备方法。本发明的制备方法包括对铝合 金粉末进行差式扫描量热测试,确定液相含量与 温度的关系;将SiC粉体与铝合金粉末混合后,进 行半固态真空热压烧结,得到中、高体积分数碳 化硅颗粒增强铝基复合材料;半固态真空热压烧 结过程中不添加粘结剂和助烧剂;烧结温度根据 所述液相含量与所述半固态真空热压烧结的温 度的关系进行确定 ;所述中、高体积分数碳化硅 颗粒增强铝基复合材料
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