发明

一种中、高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法2023

2023-09-18 07:28:09 发布于四川 23
  • 申请专利号:CN202310700004.X
  • 公开(公告)日:2023-09-15
  • 公开(公告)号:CN116752028A
  • 申请人:北京理工大学
摘要:本发明涉及铝基复合材料技术领域,尤其涉及一种中、高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法。本发明的制备方法包括对铝合金粉末进行差式扫描量热测试,确定液相含量与温度的关系;将SiC粉体与铝合金粉末混合后,进行半固态真空热压烧结,得到中、高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料;半固态真空热压烧结过程中不添加粘结剂和助烧剂;烧结温度根据所述液相含量与所述半固态真空热压烧结的温度的关系进行确定;所述中、高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料中碳化硅(SiCp)的体积百分含量为30~50%。该方法可以避免粘结剂和助烧剂去除不完全的问题,同时实现高致密度的中、高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116752028 A (43)申请公布日 2023.09.15 (21)申请号 202310700004.X (22)申请日 2023.06.14 (71)申请人 北京理工大学 地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5 号 (72)发明人 王扬卫 王海云 李琳琳 韩宝锋  程焕武  (74)专利代理机构 北京高沃律师事务所 11569 专利代理师 霍苗 (51)Int.Cl. C22C 32/00 (2006.01) C22C 21/00 (2006.01) B22F 1/12 (2022.01) B22F 3/10 (2006.01) B22F 3/14 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图5页 (54)发明名称 一种中、高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复 合材料的制备方法 (57)摘要 本发明涉及铝基复合材料技术领域,尤其涉 及一种中、高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合 材料的制备方法。本发明的制备方法包括对铝合 金粉末进行差式扫描量热测试,确定液相含量与 温度的关系;将SiC粉体与铝合金粉末混合后,进 行半固态真空热压烧结,得到中、高体积分数碳 化硅颗粒增强铝基复合材料;半固态真空热压烧 结过程中不添加粘结剂和助烧剂;烧结温度根据 所述液相含量与所述半固态真空热压烧结的温 度的关系进行确定 ;所述中、高体积分数碳化硅 颗粒增强铝基复合材料

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