发明

一种硬掩模组合物及形成图案的方法2024

2024-03-05 07:15:55 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202311603977.8
  • 公开(公告)日:2024-11-22
  • 公开(公告)号:CN117631438A
  • 申请人:福建泓光半导体材料有限公司
摘要:本发明涉及了硬掩模材料的技术领域,具体提供了一种硬掩模组合物及形成图案的方法,硬掩模组合物是化合物I和化合物I I交联制备得到的,制备的硬掩模组合物形成的薄膜具有较高耐蚀刻性,其中,N2/O2混合气体环境下的主体蚀刻速率能控制在23埃/秒以内,CHF3/CF4混合气体环境下的主体蚀刻速率能控制在20埃/秒以内,同时具有较高的溶剂性,间隙填充特性较好,便于推广应用。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117631438 A (43)申请公布日 2024.03.01 (21)申请号 202311603977.8 G03F 7/42 (2006.01) (22)申请日 2023.11.28 (71)申请人 福建泓光半导体材料有限公司 地址 363100 福建省漳州市高新区九湖镇 林前村林前773号 (72)发明人 王静 李禾禾  肖楠 宋里千  安辉  (74)专利代理机构 厦门荔信律和知识产权代理 有限公司 35282 专利代理师 林显木 (51)Int.Cl. G03F 1/48 (2012.01) G03F 7/16 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01) G03F 7/30 (2006.01) 权利要求书2页 说明书12页 (54)发明名称 一种硬掩模组合物及形成图案的方法 (57)摘要 本发明涉及了硬掩模材料的技术领域,具体 提供了一种硬掩模组合物及形成图案的方法,硬 掩模组合物是化合物I和化合物I  I交联制备得 到的,制备的硬掩模组合物形成的薄膜具有较高 耐蚀刻性,其中,N /O 混合气体环境下的主体蚀 2 2 刻速率能控制在23埃/秒以内,CHF /CF 混合气 3 4 体环境下的主体蚀刻速率

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