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PCT发明

半导体集成电路装置

2023-05-28 11:58:21 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN201880094387.8
  • 公开（公告）日：2024-10-29
  • 公开（公告）号：CN112243569A
  • 申请人：株式会社索思未来
摘要：本发明提供一种半导体集成电路装置及电平位移电路。半导体集成电路装置(100)包括设在第一电源(VDD1)与输出端子(1)之间的第一、第二晶体管(11、12)、从第一电源(VDD1)生成第二电源(VBIAS)的降压电路、将第二电源(VBIAS)和第三电源(VDD3)中的高电位作为第四电源(VINT)输出的电源开关电路(3)以及在第一电源(VDD1)与第四电源(VINT)之间发生位移的电平位移电路(4)。第一晶体管(11)的栅极与电平位移电路(4)的输出相连，第二晶体管(12)的栅极与第四电源(VINT)相连。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112243569 A (43)申请公布日 2021.01.19 (21)申请号 201880094387.8 (51)Int.Cl. H03K 19/0185 (2006.01) (22)申请日 2018.06.19 H03K 19/003 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 H03K 19/0175 (2006.01) 2020.12.08 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/JP2018/023232 2018.06.19 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2019/244230 JA 2019.12.26 (71)申请人 株式会社索思未来 地址 日本神奈川县 (72)发明人 饭田真久　袛园雅弘　 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任 公司 11021 代理人 柯瑞京 权利要求书3页 说明书12页 附图11页 (54)发明名称 半导体集成电路装置及电平位移电路 (57)摘要 本发明提供一种半导体集成电路装置及电 平位移电路。半导体集成电路

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