一种SiC反应炉原位清洗的方法2023

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116815307 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310839726.3 (22)申请日 2023.07.10 (71)申请人 浙江芯科半导体有限公司 地址 311400 浙江省杭州市富阳区春江街 道江南路68号第23幢706室 (72)发明人 张梦龙　钱昊　韩理想　王小周　 李京波　 (74)专利代理机构 北京精翰专利代理有限公司 11921 专利代理师 卓邦荣 (51)Int.Cl. C30B 25/08 (2006.01) C30B 25/16 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01) F27D 25/00 (2010.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 一种SiC反应炉原位清洗的方法 (57)摘要 本发明涉及外延反应炉清洗技术领域，具体 公开了一种SiC反应炉原位清洗的方法，包括：正 常生长时进行颗粒物监测、反应室颗粒物过量清 洗程序开始、将对刻蚀气体敏感的传输盘移出反 应室、升温并将大流量氢气通入反应室吹扫、降 温降氢气流量、颗粒物监测、清洁完成和将对刻 蚀气体敏感的传输盘移回反应室；本发明利用两 步法，即高温氢气大流量和低温含氯混合气的分 段式不同刻蚀速度清理反应室，加上离子束轰击 反应室表面 ，去除附着的污染物并提供表面激 活，以促进反应室下一步的再生