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发明

基于聚合物材料去除基底表面金属膜层的方法及光刻方法

2023-06-07 22:16:33 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202211555383.X
  • 公开（公告）日：2024-09-27
  • 公开（公告）号：CN115755541A
  • 申请人：中国科学院光电技术研究所
摘要：本公开提供了一种基于聚合物材料去除基底表面金属膜层的方法及光刻方法，包括：S1，制备超分辨光刻结构，超分辨光刻结构自下而上依次包括基底、反射金属膜层、感光膜层和透射金属膜层，构成金属v介质v金属的等离子腔体成像结构；S2，利用超分辨光刻对等离子腔体成像结构中的感光膜层进行曝光；S3，在透射金属膜层上涂覆高分子聚合物溶液，加热使高分子聚合物溶液固化，形成聚合物薄膜；S4，剥离聚合物薄膜，同时透射金属膜层粘附于聚合物薄膜上被完整剥离，感光膜层和反射金属膜层无损伤。本公开利用高分子聚合物作为粘附层可简单高效地去除基底表面的金属膜层，而不对等离子腔体成像结构产生损伤和破坏，有利于获得高质量超分辨光刻图形。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115755541 A (43)申请公布日 2023.03.07 (21)申请号 202211555383.X C09D 7/65 (2018.01) G03F 7/32 (2006.01) (22)申请日 2022.12.06 (71)申请人 中国科学院光电技术研究所 地址 610209 四川省成都市双流350信箱 (72)发明人 罗先刚　沈涛　刘玲　赵泽宇　 李夏楚秦　张党龙　陈丽娟　 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任 公司 11021 专利代理师 肖慧 (51)Int.Cl. G03F 7/20 (2006.01) C09D 5/20 (2006.01) C09D 183/04 (2006.01) C09D 129/04 (2018.01) C09D 7/63 (2006.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图5页 (54)发明名称 基于聚合物材料去除基底表面金属膜层的 方法及光刻方法 (57)摘要 本公开提供了一种基于聚合物材料去除基 底表面金属膜层的方法及光刻方法，包括：S1，制 备超分辨光刻结构，超分辨光刻结构自下而上依 次包括基底、反射金属膜层、感光膜层和透射金 属膜层，构成金属v介质v金属的等离子腔体成像 结构；S2

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