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一种高温度系数热敏材料的制备方法2025

2023-12-08 07:11:59 发布于四川 2
  • 申请专利号:CN202311056163.7
  • 公开(公告)日:2025-07-08
  • 公开(公告)号:CN117142850A
  • 申请人:华中科技大学
摘要:本发明属于电子陶瓷元件制备技术领域,更具体地,涉及一种高温度系数热敏材料的制备方法。将石墨烯与陶瓷粉末均匀混合,经还原烧结后石墨烯均匀分散于钛酸钡陶瓷晶粒晶界处,并于再氧化过程中石墨烯被氧化排除形成二维孔隙,作为氧气传输路径,促进陶瓷晶界被再氧化形成势垒,制备得到高致密度低再氧化温度高温度系数多孔钛酸钡基热敏陶瓷。本发明可适用于现有钛酸钡热敏陶瓷制备工艺,只需添加少量石墨烯即可实现钛酸钡热敏陶瓷再氧化温度的降低,制备得到具有高致密度、较高升阻比和高温度系数的钛酸钡热敏陶瓷。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117142850 A (43)申请公布日 2023.12.01 (21)申请号 202311056163.7 (22)申请日 2023.08.21 (71)申请人 华中科技大学 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路 1037号 (72)发明人 董天文 傅邱云 张宁 董文  (74)专利代理机构 武汉华之喻知识产权代理有 限公司 42267 专利代理师 彭翠 (51)Int.Cl. C04B 35/468 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/64 (2006.01) C04B 38/06 (2006.01) H01C 7/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 一种高温度系数热敏材料的制备方法 (57)摘要 本发明属于电子陶瓷元件制备技术领域,更 具体地,涉及一种高温度系数热敏材料的制备方 法。将石墨烯与陶瓷粉末均匀混合,经还原烧结 后石墨烯均匀分散于钛酸钡陶瓷晶粒晶界处,并 于再氧化过程中石墨烯被氧化排除形成二维孔 隙,作为氧气传输路径,促进陶瓷晶界被再氧化 形成势垒,制备得到高致密度低再氧化温度高温 度系数多孔钛酸钡基热敏陶瓷。本发明可适用于 现有钛酸钡热敏陶瓷制备工艺,只需添加少量石 墨烯即可实现钛酸钡热敏陶瓷再氧化温度的降 低,制备得到具有高致密度、较高升阻

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