发明

一种多面体低聚硅倍半氧烷包覆二硝酰胺铵的简易制备方法2024

2023-10-31 07:14:19 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202210418411.7
  • 公开(公告)日:2024-09-20
  • 公开(公告)号:CN116947576A
  • 申请人:北京理工大学
摘要:本发明涉及一种多面体低聚硅倍半氧烷(POSS)包覆二硝酰胺铵(ADN)的制备方法。本发明将POSS溶解于二氯甲烷等溶剂中形成溶液,ADN固体颗粒分散于溶液中,通过简单的溶剂蒸发法,即可得到形貌均一的POSS薄膜保护的二硝酰胺铵晶体颗粒,无需进一步复杂的后处理工序。POSS包覆的ADN颗粒吸湿性显著降低。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116947576 A (43)申请公布日 2023.10.27 (21)申请号 202210418411.7 (22)申请日 2022.04.20 (71)申请人 北京理工大学 地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5 号 (72)发明人 杨荣杰 李京京 翟进贤 李建民  (51)Int.Cl. C06B 31/00 (2006.01) C06B 23/00 (2006.01) C06B 21/00 (2006.01) C06D 5/06 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种多面体低聚硅倍半氧烷包覆二硝酰胺 铵的简易制备方法 (57)摘要 本发明涉及一种多面体低聚硅倍半氧烷 (POSS)包覆二硝酰胺铵(ADN)的制备方法。本发 明将POSS溶解于二氯甲烷等溶剂中形成溶液 , ADN固体颗粒分散于溶液中 ,通过简单的溶剂蒸 发法,即可得到形貌均一的POSS薄膜保护的二硝 酰胺铵晶体颗粒 ,无需进一步复杂的后处理工 序。POSS包覆的ADN颗粒吸湿性显著降低。 A 6 7 5 7 4 9 6 1 1 N C CN 116947576 A 权 利 要 求 书 1/1页 1.一种多面体低聚硅倍半氧烷(POSS)包覆二硝酰胺铵(ADN)的制备方法,其步骤包括: 步骤一,将POSS溶解

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