集成电路及其形成方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112599501 A (43)申请公布日 2021.04.02 (21)申请号 202010102081.1 (22)申请日 2020.02.19 (30)优先权数据 16/589,395 2019.10.01 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力 行六路八号 (72)发明人 徐鸿文　卢玠甫　曾凯　黄伟立　 (74)专利代理机构 北京派特恩知识产权代理有 限公司 11270 代理人 薛恒　王琳 (51)Int.Cl. H01L 23/64(2006.01) H01L 27/06(2006.01) 权利要求书2页 说明书15页 附图8页 (54)发明名称 集成电路及其形成方法 (57)摘要 一种集成电路及其形成方法，所述集成电路 包括上覆在衬底上的内连结构。所述内连结构具 有上覆在衬底之上的多个金属层。第一介电层上 覆在所述内连结构的最上表面上。所述第一介电 层具有相对的侧壁，所述相对的侧壁界定沟槽。 第一磁性层设置在沟槽内且沿着所述相对的侧 壁共形地延伸。导电配线设置在沟槽内且上覆在 第一磁性层上。第二磁性层上覆在第一磁性层及 导电配线上。所述第二磁性层在横向上从所述相 对的侧壁中的第一侧壁之上延伸到所述相对的 侧壁中的第二侧壁。 A 1 0