基于半导体的晶体管的电压栅极驱动器、功率开关器件及相应方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117040516 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202311085356.5 (22)申请日 2023.08.28 (30)优先权数据 22193040.7 2022.08.31 EP (71)申请人 安世半导体科技（上海）有限公司 地址 200025 上海市黄浦区局门路458号 201室 申请人 安世有限公司 (72)发明人 洛芙迪 ·哈希特阿巴 ·姆文恩　 (74)专利代理机构 北京天昊联合知识产权代理 有限公司 11112 专利代理师 张娜　林文 (51)Int.Cl. H03K 17/74 (2006.01) H03K 17/16 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图3页 (54)发明名称 基于半导体的晶体管的电压栅极驱动器、功 率开关器件及相应方法 (57)摘要 一种用于基于半导体的晶体管的电压栅极 驱动器，所述电压栅极驱动器包括：电压发生器 电路，其被布置用于接收驱动电压，所述电压发 生器电路包括与齐纳二极管串联连接的电容器， 其中，所述齐纳二极管的阴极被布置成连接到所 述基于半导体的晶体管的栅极 ；偏置电流电路， 其并联连接在所述电容器上，其中所述偏置电流 电路包括开关，并且被布置为基于所述开关的状 态，向所述齐纳二极管的所述阴极提供偏置电 流，其中，所述偏置电流电路被布置为当所述开 关处于闭