碳化硅沟槽栅MOSFET器件及其制造方法2024
- 申请专利号:CN202410463963.9
- 公开(公告)日:2024-11-26
- 公开(公告)号:CN118073423A
- 申请人:深圳市冠禹半导体有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118073423 A (43)申请公布日 2024.05.24 (21)申请号 202410463963.9 (22)申请日 2024.04.17 (71)申请人 深圳市冠禹半导体有限公司 地址 518100 广东省深圳市宝安区航城街 道三围社区泰华梧桐工业园雨水(2A) 栋3层 (72)发明人 李伟 高苗苗 段卫宁 梁为住 (74)专利代理机构 深圳维启专利代理有限公司 44827 专利代理师 林鼎佑 (51)Int.Cl. H01L 29/78 (2006.01) H01L 23/544 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图8页 (54)发明名称 碳化硅沟槽栅MOSFET器件及其制造方法 (57)摘要 本发明涉及一种碳化硅沟槽栅MOSFET器件 及其制造方法,器件包括开设有碳化硅沟槽的碳 化硅衬底、在碳化硅沟槽内的栅极埋体、在栅极 埋体上的层间膜,层间膜在碳化硅沟槽之间形成 接触凹陷,串流测试层设置在碳化硅衬底上,包 括位于接触凹陷中的源极垫层与位于碳化硅沟 槽外的两测试垫,由源极垫层串连其间的柵极沟 道的测试路径,以供中间测试预先筛分。本发明 解决碳化硅沟槽在非等向性刻蚀时碳素干扰导 致沟槽侧壁不能控制笔直引起的内阻变化大的 问题。 A 3 2 4 3 7 0 8 1 1 N C C