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研磨方法及研磨装置

2023-06-11 12:53:57 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202011422501.0
  • 公开(公告)日:2024-11-22
  • 公开(公告)号:CN112936090A
  • 申请人:株式会社荏原制作所
摘要:提供一种基板的研磨方法及研磨装置,其能够降低来自晶片等基板的反射光的光谱的波动的影响,决定正确的膜厚。研磨装置包括:将基板按压于进行旋转的研磨台上的研磨垫而对该基板的表面进行研磨,每当所述研磨台旋转一圈,生成来自所述基板的表面的反射光的光谱,编制由沿研磨时间排列的多个光谱构成的三维数据,根据所述三维数据决定所述基板的膜厚的工序。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112936090 A (43)申请公布日 2021.06.11 (21)申请号 202011422501.0 B24B 37/005 (2012.01) B24B 57/02 (2006.01) (22)申请日 2020.12.08 H01L 21/66 (2006.01) (30)优先权数据 G06K 9/62 (2006.01) 2019-222892 2019.12.10 JP G06N 3/04 (2006.01) (71)申请人 株式会社荏原制作所 G06N 3/08 (2006.01) 地址 日本国东京都大田区羽田旭町11番1 号 (72)发明人 八木圭太 盐川阳一 佐佐木俊光  渡边夕贵 纳齐格塔 ·查汗  (74)专利代理机构 上海华诚知识产权代理有限 公司 31300 代理人 张丽颖 (51)Int.Cl. B24B 37/10 (2012.01) B24B 49/12 (2006.01) 权

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