半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114561630 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202111415512.0 (22)申请日 2021.11.25 (30)优先权数据 2020-196816 2020.11.27 JP (71)申请人 株式会社国际电气 地址 日本东京都 (72)发明人 花岛建夫　原田和宏　 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 专利代理师 牛蔚然 (51)Int.Cl. C23C 16/44 (2006.01) C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/34 (2006.01) C23C 16/36 (2006.01) 权利要求书3页 说明书16页 附图5页 (54)发明名称 半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记 录介质及衬底处理装置 (57)摘要 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处 理方法、记录介质及衬底处理装置。提供能够使 衬底上形成的膜的阶差被覆性、衬底面内膜厚均 匀性提高的技术。具有通过将包括下述(a)和(b) 的循环进行规定次数从而在上述衬底上形成膜 的工序，(a)从原料气体供给管线向收容有衬底 (其表面设置有凹部)的处理室内供给原料气体 工序，(b)向收容有衬底的处理室内供给反应气 体的工序，在(a)中，分多次向衬底供给原料气 体，在最初供给原料气体时，将原料气体预先填 充于设置在原料气体供给管线