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发明

一种高通量碳化硅陶瓷膜的超低温共烧结制备方法及应用2024

2024-04-07 07:23:58 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202311620302.4
  • 公开（公告）日：2024-04-05
  • 公开（公告）号：CN117820007A
  • 申请人：南京工程学院
摘要：一种高通量碳化硅陶瓷膜的超低温共烧结制备方法及应用，通过在碳化硅支撑层生坯和膜层生坯引入烧结助剂，在特定湿度环境下干燥后进行超低温共烧结工序，得到高通量非对称碳化硅陶瓷膜。本发明利用碱性液相烧结助剂的pH调节特性和低温黏结特性，通过调控烧结助剂含量与制膜液流变性，可在600℃的低温下实现碳化硅陶瓷膜的共烧和对陶瓷膜性能的调控。以较低的烧结温度规避了在传统高温共烧结工艺中膜层与支撑层之间较大的热应力差异，所制备的碳化硅陶瓷膜光滑无裂纹，并具有高纯水渗透性能和高抗弯曲强度。通过降低烧结温度和缩减烧结次数的共烧工艺极大的降低了非对称陶瓷膜的烧结能耗。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117820007 A (43)申请公布日 2024.04.05 (21)申请号 202311620302.4 C04B 41/87 (2006.01) B01D 71/02 (2006.01) (22)申请日 2023.11.30 B01D 67/00 (2006.01) (71)申请人 南京工程学院 B01D 17/022 (2006.01) 地址 211167 江苏省南京市江宁科学园弘 景大道1号 (72)发明人 江倩　徐威　胡丽华　丁良辉　 丁克强　 (74)专利代理机构 南京钟山专利代理有限公司 32252 专利代理师 王楠 (51)Int.Cl. C04B 38/00 (2006.01) C04B 35/565 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/64 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 一种高通量碳化硅陶瓷膜的超低温共烧结 制备方法及应用 (57)摘要 一种高通量碳化硅

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