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发明

用于3D共形处理的原子层处理腔室

2023-04-24 09:26:25 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202111142728.4
  • 公开（公告）日：2024-11-08
  • 公开（公告）号：CN113981414A
  • 申请人：应用材料公司
摘要：本文所描述实施方式涉及用于在半导体基板上形成或处理材料层的方法。在一个实施方式中，用于执行原子层工艺方法包括输送物质至处于第一温度的基板的表面，随后将基板的表面尖峰退火至第二温度以引发物质与基板的表面上的分子之间的反应。第二温度高于第一温度。通过重复输送及尖峰退火工艺，在基板的表面上形成共形层或对基板的表面执行共形蚀刻工艺。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113981414 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 202111142728.4 C23C 16/48 (2006.01) C23C 16/52 (2006.01) (22)申请日 2016.02.25 H01L 21/02 (2006.01) (30)优先权数据 H01L 21/67 (2006.01) 62/135,836 2015.03.20 US (62)分案原申请数据 201680016568.X 2016.02.25 (71)申请人 应用材料公司 地址 美国加利福尼亚州 (72)发明人 刘炜　阿布拉什 ·J ·马约尔　 菲利普 ·斯托特　 (74)专利代理机构 北京律诚同业知识产权代理 有限公司 11006 代理人 徐金国　赵静 (51)Int.Cl. C23C 16/455 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图10页 (54)发明名称 用于3D共形处理的原子层处理腔室 (57)摘要 本文所描述实施方式涉及用于在半导体基 板上形成或处理材料层的方法

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