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发明

工艺温度测量装置制造技术及其校正及数据内插的方法2025

2024-06-01 07:23:47 发布于四川 7
  • 申请专利号：CN202410191379.2
  • 公开（公告）日：2025-09-26
  • 公开（公告）号：CN118073219A
  • 申请人：科磊股份有限公司
摘要：本申请涉及工艺温度测量装置制造技术及其校正及数据内插的方法。本发明揭示一种工艺条件测量晶片组合件。在实施例中，工艺条件测量晶片组合件包含底部衬底及顶部衬底。在另一实施例中，工艺条件测量晶片组合件包含一或多个电子组件，一或多个电子组件经安置在一或多个印刷电路元件上且经内插在顶部衬底与底部衬底之间。在另一实施例中，工艺条件测量晶片组合件包含一或多个屏蔽层，一或多个屏蔽层经形成在底部衬底与顶部衬底之间。在实施例中，一或多个屏蔽层经配置以电磁屏蔽一或多个电子组件且跨底部衬底及顶部衬底扩散电压电势。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118073219 A (43)申请公布日 2024.05.24 (21)申请号 202410191379.2 (51)Int.Cl . H01L 21/66 (2006.01) (22)申请日 2019.09.06 H01L 21/67 (2006.01) (30)优先权数据 62/727,633 2018.09.06 US 16/558,471 2019.09.03 US (62)分案原申请数据 201980057820.5 2019.09.06 (71)申请人 科磊股份有限公司 地址 美国加利福尼亚州 (72)发明人 F ·A ·库利　A ·恩古叶　 J ·R ·拜洛　 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 专利代理师 刘丽楠 权利要求书3页 说明书15页 附图13页 (54)发明名称 工艺温度测量装置制造技术及其校正及数 据内插的方法 (57)摘要 本申请涉及工艺温度测量装置制造技术及 其校正及数据内插的方法。本发明揭示一种工艺 条件测量晶片组合件。在实施例中，工艺条件测 量晶片组合件包含底部衬底及顶部衬底。在另一 实施例中，工艺条件测量晶片组合件包含一或多

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