InP晶圆切割保护液、制备方法及清洗液和清洗方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117070272 A (43)申请公布日 2023.11.17 (21)申请号 202310778540.1 C11D 3/60 (2006.01) (22)申请日 2023.06.29 (71)申请人 浙江奥首材料科技有限公司 地址 324012 浙江省衢州市杜鹃路36号 (72)发明人 侯军　贺剑锋　褚雨露　张楠　 (74)专利代理机构 宁波知坤专利代理事务所 (特殊普通合伙) 33312 专利代理师 涂萧恺 (51)Int.Cl. C10M 173/02 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/78 (2006.01) C11D 1/22 (2006.01) C11D 3/34 (2006.01) C11D 3/22 (2006.01) 权利要求书2页 说明书14页 附图2页 (54)发明名称 InP晶圆切割保护液、制备方法及清洗液和 清洗方法 (57)摘要 本发明提供了一种用于InP晶圆的切割保护 液、其制备方法、使用方法和专用于其的清洗液 和清洗方法等，所述保护液包含侧链苯基树脂和 复合乳化剂，具有优异的切割保护性能；所述清 洗液通过特定表面活性剂和缓蚀剂的使用，能够 专用于所述切割保护液的清洗，残留膜小，且能 够抑制电极腐蚀。所述切割保护液和清洗液等技 术方案可应用到半导体加工领