一种碳化硅单晶生长的保温结构及其制作方法与应用2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116892056 A (43)申请公布日 2023.10.17 (21)申请号 202310991407.4 (22)申请日 2023.08.07 (71)申请人 江苏超芯星半导体有限公司 地址 210000 江苏省南京市中国 （江苏）自 由贸易试验区南京片区研创园团结路 99号孵鹰大厦2189室 (72)发明人 张永伟　袁振洲　丁同悦　刘欣宇　 (74)专利代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 专利代理师 刘二艳 (51)Int.Cl. C30B 23/00 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图1页 (54)发明名称 一种碳化硅单晶生长的保温结构及其制作 方法与应用 (57)摘要 本发明提供一种碳化硅单晶生长的保温结 构及其制作方法与应用，所述保温结构包括围绕 于碳化硅单晶生长装置外部的侧部保温单元、顶 部保温单元和底部保温单元；所述侧部保温单元 由矩形保温条绕制而成，且所述矩形保温条的两 个连接端部分别独立地设置有斜坡结构，包括外 端斜坡和内端斜坡；所述外端斜坡位于远离碳化 硅单晶生长装置的连接端部，所述内端斜坡位于 靠近碳化硅单晶生长装置的连接端部；设定所述 外端斜坡的斜边长度为L1，所述内端斜坡的斜边 长度为L2，则所述保温结构满足：L1>L2。本发明 A 提供的保温结构提升了隔热性能和保温均一性， 6 延长了