用于在化学机械抛光后清洁半导体晶片的清洁组合物及方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117625325 A (43)申请公布日 2024.03.01 (21)申请号 202311393650.2 C11D 7/06 (2006.01) C11D 7/60 (2006.01) (22)申请日 2016.01.12 H01L 21/02 (2006.01) (30)优先权数据 62/102,614 2015.01.13 US (62)分案原申请数据 201680005695.X 2016.01.12 (71)申请人 CMC材料股份有限公司 地址 美国伊利诺伊州 (72)发明人 R ·伊万诺夫　F ·洪　柯政远　 F ·孙　 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 专利代理师 邢岳 (51)Int.Cl. C11D 7/32 (2006.01) 权利要求书1页 说明书24页 附图9页 (54)发明名称 用于在化学机械抛光后清洁半导体晶片的 清洁组合物及方法 (57)摘要 本发明涉及用于在化学机械抛光后清洁半 导体晶片的清洁组合物及方法。具体地说，本发 明提供用于在化学机械抛光之后从半导体晶片 清洁污染物的组合物。该清洁组合物含有一种或 多种氢氧化季铵、一种或多种有机胺、一种或多 种金属抑制剂、以及水。本发明还提