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发明

气相生长装置

2023-06-18 07:24:08 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202111317035.4
  • 公开（公告）日：2025-02-11
  • 公开（公告）号：CN114457416A
  • 申请人：纽富来科技股份有限公司
摘要：本发明提供能够提高基板的温度的均匀性的气相生长装置。气相生长装置具备：反应室；支架，设置于反应室中，并载置基板；第一及第二加热器，分别设置于反应室中，位于支架的下方，支架包括：内侧区域；环状的外侧区域，包围内侧区域且在载置有基板的情况下包围基板；以及支承部，设置于内侧区域之上，能够支承基板的下表面，为环状且具有圆弧部分，圆弧部分的外周端与外侧区域的内周端之间的距离为6mm以下，支承部的宽度为3mm以上，在以基板的中心与支架的中心一致的方式将基板载置于支架的情况下，若基板的半径为R1，圆弧部分的外周端的半径为R4，基板的外周端与和圆弧部分对置的外侧区域的内周端之间的距离为D1，则满足下述式1。R1‑D1>R4(式1)。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114457416 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202111317035.4 (22)申请日 2021.11.09 (30)优先权数据 2020-186828 2020.11.09 JP (71)申请人 纽富来科技股份有限公司 地址 日本神奈川县 (72)发明人 醍醐佳明　森山义和　 (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 专利代理师 刘英华 (51)Int.Cl. C30B 25/10 (2006.01) C30B 25/12 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01) H01L 21/67 (2006.01) 权利要求书2页 说明书17页 附图35页 (54)发明名称 气相生长装置 (57)摘要 本发明提供能够提高基板的温度的均匀性 的气相生长装置。气相生长装置具备：反应室；支 架，设置于反应室中，并载置基板；第一及第二加 热器，分别设置于反应室中，位于支架的下方，支 架包括：内侧区域；环状的外侧区域，包围内侧区 域且在载置有基板的情况下包围基板；以及支承 部，设置于内侧区域之上，能够支承基板的下表 面，为环状且具有圆弧部分，圆弧部分的外周端 与外侧区域的内周端之间的距离为6mm以下，支 承部的宽度为3mm以上，在以基板的中心与支架 的中心一致的方式将基板载置于支架的情况下， 若基板的半径为R1，圆

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