发明

低电场下高储能性能10μm全无机弛豫型反铁电厚膜的制备方法2025

2023-10-01 07:22:05 发布于四川 2
  • 申请专利号:CN202310901115.7
  • 公开(公告)日:2025-11-07
  • 公开(公告)号:CN116813214A
  • 申请人:哈尔滨工业大学
摘要:低电场下高储能性能10μm全无机弛豫型反铁电厚膜的制备方法,本发明属于电子功能材料与器件技术领域,具体涉及低电场下高储能性能10μm全无机弛豫型反铁电厚膜的制备方法。本发明要解决当前小型化、集约化、轻质化厚膜型电介质储能电容器所面临的驱动电场较高,储能密度及总能量存储量较低,制备工艺复杂,实际应用中稳定性较差的问题。方法:共沉淀法制备粉体,采用聚多巴胺对陶瓷粉表面改性后混入溶胶体形成悬浊液,采用改进的溶胶粉末法,获得厚度为10μm的全无机弛豫型反铁电厚膜。所制备的无机介电厚膜在低电场下呈现出超高的储能性能,还具有优异的温度、频率、疲劳循环稳定性,对于高性能先进脉冲电力系统的应用极其重要。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116813214 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310901115.7 (22)申请日 2023.07.21 (71)申请人 哈尔滨工业大学 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西 大直街92号 (72)发明人 张锐 沈秉忠 刘洋  (74)专利代理机构 哈尔滨市松花江联合专利商 标代理有限公司 23213 专利代理师 高志光 (51)Int.Cl. C03C 17/36 (2006.01) 权利要求书3页 说明书12页 附图5页 (54)发明名称 低电场下高储能性能10 μm全无机弛豫型反 铁电厚膜的制备方法 (57)摘要 低电场下高储能性能10 μm全无机弛豫型反 铁电厚膜的制备方法,本发明属于电子功能材料 与器件技术领域,具体涉及低电场下高储能性能 10 μm全无机弛豫型反铁电厚膜的制备方法。本 发明要解决当前小型化、集约化、轻质化厚膜型 电介质储能电容器所面临的驱动电场较高,储能 密度及总能量存储量较低,制备工艺复杂,实际 应用中稳定性较差的问题。方法 :共沉淀法制备 粉体,采用聚多巴胺对陶瓷粉表面改性后混入溶 胶体形成悬浊液,采用改进的溶胶粉末法,获得 厚度为10 μm的全无机弛豫型反铁电厚膜。所制 A 备的无机介电厚膜在低电场下呈现出超高的储 4 能性能,还具有优异的温度、频率、疲劳循环稳定 1 2 3 性,对于高性能先进脉冲电力系统的应用极其重 1 8

最新专利