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发明

用于沉积氮化硅膜的组合物和方法

2023-06-23 08:09:07 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202110661732.5
  • 公开（公告）日：2024-06-14
  • 公开（公告）号：CN113403604A
  • 申请人：弗萨姆材料美国有限责任公司
摘要：本文描述了组合物、氮化硅膜和使用至少一种环二硅氮烷前体形成氮化硅膜的方法。在一个方面中，提供了一种形成氮化硅膜的方法，所述方法包括以下步骤：在反应器中提供衬底；向所述反应器内引入至少一种包含烃离去基团和两个Si‑H基团的环二硅氮烷，其中该至少一种环二硅氮烷在至少一部分所述衬底的表面上反应以提供化学吸附层；采用吹扫气体吹扫所述反应器；向所述反应器内引入包含氮和惰性气体的等离子体以与所述化学吸附层的至少一部分反应并提供至少一个反应性位点，其中所述等离子体以约0.01至约1.5W/cm2范围的功率密度生成。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113403604 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110661732.5 C23C 16/515 (2006.01) C23C 16/02 (2006.01) (22)申请日 2016.07.28 (30)优先权数据 62/199,593 2015.07.31 US (62)分案原申请数据 201680051055.2 2016.07.28 (71)申请人 弗萨姆材料美国有限责任公司 地址 美国亚利桑那州 (72)发明人 雷新建　金武性　萧满超　 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 吴亦华　徐一琨 (51)Int.Cl. C23C 16/34 (2006.01) C23C 16/455 (2006.01) 权利要求书2页 说明书24页 附图1页 (54)发明名称 用于沉积氮化硅膜的组合物和方法 (57)摘要 本文描述了组合物、氮化硅膜和使用至少一 种环二硅氮烷前体形成氮化硅膜的方法。在一个 方面中，提供了一种形成氮化硅膜的方法，所述 方法包括以下步骤：在反应器中提供衬底；向所 述反应器内引入至少一种包含烃离去基团和两 个Si‑H基团的环二硅氮烷，其中该至少一种环二 硅氮烷在至少一部分所述衬底的表面上反应以 提供化学吸附层；采

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