一种核用锆合金表面Cr-Si系涂层及其制备方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116516291 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310520282.7 (22)申请日 2023.05.10 (71)申请人 重庆文理学院 地址 402160 重庆市永川区红河大道319号 (72)发明人 黄伟九　阮海波　廖海燕　徐向空　 苏永要　 (74)专利代理机构 重庆晶智汇知识产权代理事 务所(普通合伙) 50229 专利代理师 李靖 (51)Int.Cl. C23C 14/16 (2006.01) C23C 14/02 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图5页 (54)发明名称 一种核用锆合金表面Cr-Si系涂层及其制备 方法 (57)摘要 一种核用锆合金表面的Cr‑Si系涂层，是以 Cr靶和Si靶通过磁控溅射制得，涂层中Si的含量 控制在7 .5 22.0 at.%，所述Cr靶和Si靶的电源 ~ 驱动分别为直流电源和射频电源，其中Cr靶的溅 射功率为300W，Si靶的功率为100 300W。本发明 ~ 通过在锆合金基体表面制备的Cr‑Si涂层，具有 优异的高温抗氧化性能 ，氧化过程中，在基体和 涂层的界面形成了Cr O /SiO 双氧化层，有效延 2 3 2 缓了