PCT发明

单晶制造装置

2023-05-20 11:10:10 发布于四川 1

申请专利号：CN202080091664.7
公开（公告）日：2024-11-08
公开（公告）号：CN114929951A
申请人：信越半导体株式会社

摘要：本发明是一种单晶制造装置，其利用切克劳斯基法培育单晶，具有：主腔室，其容纳对原料融液进行收纳的坩埚和对原料融液进行加热的加热器；提拉腔室，其连接设置于主腔室的上部，生长的单晶被提拉而收纳于提拉腔室；冷却筒，其以包围提拉中的单晶的方式从主腔室的至少顶部向原料融液延伸并被冷却介质强制冷却；以及冷却辅助筒，其嵌合于冷却筒，冷却辅助筒的材料由石墨材料、碳素复合材料、不锈钢、钼、钨中的任意一种以上构成，冷却辅助筒具有覆盖冷却筒的面对原料融液的底面的结构，冷却辅助筒与冷却筒的底面的间隙是1.0mm以下。由此，能够提供一种可增大结晶内温度梯度并实现单晶的生长速度的高速化的单晶制造装置。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114929951 A (43)申请公布日 2022.08.19 (21)申请号 202080091664.7 (74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限公司 11002 (22)申请日 2020.11.20 专利代理师张晶　敖莲 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 2020-002661 2020.01.10 JP C30B 29/06 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 C30B 15/00 (2006.01) 2022.07.01 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/JP2020/043303 2020.11.20 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2021/140758 JA 2021.07.15 (71)申请人信越半导体株式会社地址日本东京都 (72)发明人柳濑和也　冈井笃志　权利要求书1页说明书8页附图4页

单晶制造装置

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