发明

一种钕铁硼磁体材料及其制备方法2025

2024-03-25 07:18:34 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202311703641.9
  • 公开(公告)日:2025-10-31
  • 公开(公告)号:CN117727521A
  • 申请人:福建省金龙稀土股份有限公司
摘要:本发明公开了一种钕铁硼磁体材料及其制备方法。该制备方法包括将原料进行多平台保温,多平台依次为脱酯平台,脱C、H平台,烧结颈生长平台,晶粒生长平台和烧结平台;其中,脱酯平台的保温温度为200‑250℃,烧结颈生长平台的保温温度为800‑1000℃;晶粒生长平台的保温温度比烧结平台的保温温度高5‑10℃。本发明通过在制备过程中设计多平台保温,控制各保温平台的温度,可以高效率生产得到致密的钕铁硼磁体材料;烧结整体周期短,具有产业优势;制得的钕铁硼磁体材料具有高性能微观组织结构、低CON含量和优异的磁性能。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117727521 A (43)申请公布日 2024.03.19 (21)申请号 202311703641.9 (22)申请日 2023.12.12 (71)申请人 福建省金龙稀土股份有限公司 地址 366300 福建省龙岩市长汀经济开发 区工业新区 (72)发明人 黄杰华 翁见龙 吴城坤 孔维峰  李智翔  (74)专利代理机构 上海弼兴律师事务所 31283 专利代理师 张云燕 余化鹏 (51)Int.Cl. H01F 1/057 (2006.01) H01F 41/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图2页 (54)发明名称 一种钕铁硼磁体材料及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料及其制 备方法。该制备方法包括将原料进行多平台保 温,多平台依次为脱酯平台,脱C、H平台,烧结颈 生长平台,晶粒生长平台和烧结平台;其中,脱酯 平台的保温温度为200‑250℃,烧结颈生长平台 的保温温度为800‑1000℃;晶粒生长平台的保温 温度比烧结平台的保温温度高5‑10℃。本发明通 过在制备过程中设计多平台保温,控制各保温平 台的温度,可以高效率生产得到致密的钕铁硼磁 体材料;烧结整体周期短,具有产业优势;制得的 钕铁硼磁体材料具有高性能微观组织结构、低 CON含量和优异的磁性能。 A 1 2 5 7 2 7 7 1 1 N C CN 117727521 A

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