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发明

基于激光近净成形制备的Cf/SiC陶瓷基复合材料及制备方法2026

2024-06-01 07:58:36 发布于四川 5
  • 申请专利号：CN202410198821.4
  • 公开（公告）日：2026-06-02
  • 公开（公告）号：CN118084501A
  • 申请人：西北工业大学
摘要：本发明公开了一种基于激光近净成形制备的Cf/SiC陶瓷基复合材料及制备方法，属于增材制备技术领域。本发明公开的方法采用Si粉体、SiC粉体及Cf粉体混合PVA溶液、去离子水及无水乙醇后，球磨造粒得到的Si‑SiC‑Cf复合粉体作为打印原料，通过设计合理的打印参数，基于激光近净成形技术制备了Cf/SiC陶瓷基复合材料块体；该方法涉及的制备过程简单易控、可重复性高、周期短且性能优良，避免先制备素胚后脱脂热处理等流程所导致的质量不佳、操作繁琐、周期较长等问题；制备得到的Cf/SiC陶瓷基复合材料孔隙率为4％～13％，纳米压痕硬度为1.0～12.0GPa，压缩强度为100～400MPa，剪切强度为100～250MPa，且结合显微组织可以看出，块体整体均匀致密，孔隙率较低，强度较高，具有广阔的应用前景。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118084501 A (43)申请公布日 2024.05.28 (21)申请号 202410198821.4 C04B 35/64 (2006.01) C04B 38/00 (2006.01) (22)申请日 2024.02.22 B33Y 10/00 (2015.01) (71)申请人 西北工业大学 B33Y 70/10 (2020.01) 地址 710072 陕西省西安市碑林区友谊西 路127号 (72)发明人 李贺军　杨闯　史小红　王甜甜　 李伟　 (74)专利代理机构 北京中巡通大知识产权代理 有限公司 11703 专利代理师 张晓凯 (51)Int.Cl. C04B 35/577 (2006.01) C04B 35/573 (2006.01) C04B 35/80 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图7页 (54)发明名称 基于激光近净成形制备的Cf/SiC陶瓷基复 合材料及制备方法 (57)摘要

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