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发明

用于PVD提高金属膜回流效率的装置2024

2024-04-16 07:30:13 发布于四川 3
  • 申请专利号：CN202410278561.1
  • 公开（公告）日：2024-06-04
  • 公开（公告）号：CN117867454A
  • 申请人：无锡尚积半导体科技有限公司
摘要：本发明提供一种PVD提高金属膜回流效率的装置，包括溅射腔、升降载台部、副腔、盖件；溅射腔用于晶圆覆膜；升降载台部包括能够沿竖直方向升降的晶圆加热载台、位于晶圆加热载台顶部的静电吸附件、贯穿所述晶圆加热载台和静电吸附件的气路；副腔位于溅射腔的一侧面并连通于溅射腔；盖件运转于溅射腔和副腔之间，所述盖件顶部中心处设置有排气孔；其中，当所述盖件运转至溅射腔内时，所述盖件罩住晶圆并在盖件和静电吸附件之间形成辅热腔室，热气从气路进入辅热腔室内，先后流经晶圆背面、晶圆侧面、晶圆正面，最后从排气孔排出辅热腔室。本申请实现晶圆表面均匀受热受压，减少金属膜回流填孔的时间，提高晶圆镀膜的效率。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117867454 A (43)申请公布日 2024.04.12 (21)申请号 202410278561.1 H01L 21/687 (2006.01) (22)申请日 2024.03.12 (71)申请人 无锡尚积半导体科技有限公司 地址 214000 江苏省无锡市新吴区长江南 路35-312号厂房 (72)发明人 许磊　王世宽　宋永辉　 (74)专利代理机构 无锡市兴为专利代理事务所 (特殊普通合伙) 32517 专利代理师 班煜　屠志力 (51)Int.Cl. C23C 14/34 (2006.01) C23C 14/16 (2006.01) C23C 14/54 (2006.01) C23C 14/56 (2006.01) H01L 21/67 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图6页 (54)发明名称 PVD提高金属膜回流效率的装置 (57)摘要 本发明提供一种PVD提高金属膜回流效率的 装置，包括溅射腔、升降载台部、副腔、盖件；溅射 腔用于晶圆覆膜；升降载台部包括能够沿竖直方 向升降的晶圆加热载台、位于晶圆加热载台顶部 的静电吸附件、贯穿所述晶圆加热载台和静电吸 附件的气路；副腔位于溅射腔的一侧面并连通于 溅射腔；盖件运转于溅射腔和副腔之间，所述盖 件顶部中心处设置有排气孔；其中，当所述盖件 运

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