适用于SiC MOSFET的去饱和保护改进电路、设计方法及应用

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114678839 A (43)申请公布日 2022.06.28 (21)申请号 202210318914.7 (22)申请日 2022.03.29 (71)申请人 深圳市优联半导体有限公司 地址 518066 广东省深圳市前海深港合作 区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市 前海商务秘书有限公司) 申请人 华中科技大学 (72)发明人 王智强　李佳炜　辛国庆　时晓洁　 (74)专利代理机构 北京金智普华知识产权代理 有限公司 11401 专利代理师 张晓博 (51)Int.Cl. H02H 7/20 (2006.01) 权利要求书3页 说明书10页 附图5页 (54)发明名称 适用于SiC MOSFET的去饱和保护改进电路、 设计方法及应用 (57)摘要 本发明属于电路设计技术领域，公开了一种 适用于SiC MOSFET的去饱和保护改进电路、设计 方法及应用，所述适用于SiC MOSFET的去饱和保 护改进电路包括典型去饱和保护电路拓扑，用以 区分FUL故障的逻辑处理电路以及从MOSFET漏极 额外引出的消隐电容充电支路；所述适用于SiC  MOSFET的去饱和保护改进电路的设计方法包括： 典型去饱和保护电路拓扑加上用以区分FUL故障 的逻辑处理电路，再加入从MOSFET漏极额外引出 的消隐电容充电支路，实现对HSF故障处理的加 速。本发明在响应速度提高的同时不牺牲其抗干 A 扰性，优化范围较为全