适用于SiC MOSFET的去饱和保护改进电路、设计方法及应用
- 申请专利号:CN202210318914.7
- 公开(公告)日:2025-03-07
- 公开(公告)号:CN114678839A
- 申请人:深圳市优联半导体有限公司|||华中科技大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114678839 A (43)申请公布日 2022.06.28 (21)申请号 202210318914.7 (22)申请日 2022.03.29 (71)申请人 深圳市优联半导体有限公司 地址 518066 广东省深圳市前海深港合作 区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市 前海商务秘书有限公司) 申请人 华中科技大学 (72)发明人 王智强 李佳炜 辛国庆 时晓洁 (74)专利代理机构 北京金智普华知识产权代理 有限公司 11401 专利代理师 张晓博 (51)Int.Cl. H02H 7/20 (2006.01) 权利要求书3页 说明书10页 附图5页 (54)发明名称 适用于SiC MOSFET的去饱和保护改进电路、 设计方法及应用 (57)摘要 本发明属于电路设计技术领域,公开了一种 适用于SiC MOSFET的去饱和保护改进电路、设计 方法及应用,所述适用于SiC MOSFET的去饱和保 护改进电路包括典型去饱和保护电路拓扑,用以 区分FUL故障的逻辑处理电路以及从MOSFET漏极 额外引出的消隐电容充电支路;所述适用于SiC MOSFET的去饱和保护改进电路的设计方法包括: 典型去饱和保护电路拓扑加上用以区分FUL故障 的逻辑处理电路,再加入从MOSFET漏极额外引出 的消隐电容充电支路,实现对HSF故障处理的加 速。本发明在响应速度提高的同时不牺牲其抗干 A 扰性,优化范围较为全
最新专利
- 一种混合双馈入直流输电系统连续换相失败的抑制方法公开日期:2025-03-11公开号:CN118074201A申请号:CN202410138326.4一种混合双馈入直流输电系统连续换相失败的抑制方法
- 发布时间:2024-06-01 07:22:280
- 申请号:CN202410138326.4
- 公开号:CN118074201A
- 三端口隔离型交错并联结构变换器的控制方法公开日期:2025-03-11公开号:CN117792132A申请号:CN202311838225.X三端口隔离型交错并联结构变换器的控制方法
- 发布时间:2024-03-31 07:42:480
- 申请号:CN202311838225.X
- 公开号:CN117792132A
- 一种初级组件、直线电机、电磁悬架及车辆公开日期:2025-03-11公开号:CN117674509A申请号:CN202311078616.6一种初级组件、直线电机、电磁悬架及车辆
- 发布时间:2024-03-11 07:20:050
- 申请号:CN202311078616.6
- 公开号:CN117674509A
- 一种电能计量箱公开日期:2025-03-11公开号:CN117578204A申请号:CN202311545563.4一种电能计量箱
- 发布时间:2024-03-02 07:15:210
- 申请号:CN202311545563.4
- 公开号:CN117578204A
- 电池充电方法及车辆公开日期:2025-03-11公开号:CN117375129A申请号:CN202210774748.1电池充电方法及车辆
- 发布时间:2024-01-26 07:14:320
- 申请号:CN202210774748.1
- 公开号:CN117375129A
- 一种轨交车辆及其漏电保护方法和系统公开日期:2025-03-11公开号:CN117200132A申请号:CN202210608700.3一种轨交车辆及其漏电保护方法和系统
- 发布时间:2023-12-17 07:09:340
- 申请号:CN202210608700.3
- 公开号:CN117200132A