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控制硅熔融物中的掺杂剂浓度以增强铸锭质量

2023-06-17 07:21:23 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN201980066785.3
  • 公开(公告)日:2024-11-08
  • 公开(公告)号:CN113272479A
  • 申请人:环球晶圆股份有限公司
摘要:本发明公开用于制造单晶硅铸锭的方法,其中硅熔融物中的掺杂剂浓度受到控制。所述掺杂剂浓度的所述控制通过所述单晶硅铸锭的颈部、冠部及主体部分中的位错的减少或消除来增强铸锭质量。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113272479 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 201980066785.3 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 (22)申请日 2019.09.09 代理人 江葳 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 62/744,672 2018.10.12 US C30B 15/04 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 C30B 15/20 (2006.01) 2021.04.09 C30B 29/06 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/US2019/050140 2019.09.09 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2020/076448 EN 2020.04.16 (71)申请人 环球晶圆股份有限公司 地址 中国台湾新竹市科学工业园区工业东

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