具有残余应力控制的SiC晶片的制造方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114561705 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202111421201.5 (22)申请日 2021.11.26 (30)优先权数据 102020000028778 2020.11.27 IT 17/534,156 2021.11.23 US (71)申请人 意法半导体股份有限公司 地址 意大利阿格拉布里安扎 (72)发明人 R ·安扎隆　F ·拉维亚　 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 专利代理师 黄海鸣 (51)Int.Cl. C30B 29/36 (2006.01) C30B 25/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 具有残余应力控制的SiC晶片的制造方法 (57)摘要 本公开的各实施例涉及具有残余应力控制 的SiC晶片的制造方法。一种SiC晶片的制造方法 包括以下步骤：将支撑件引入反应室；在支撑件 上形成第一SiC层；将支撑件与第一SiC层分离； 在第一SiC层上生长第二SiC层，包括将具有第一 电导性的第一掺杂剂的气相的前体引入反应室 以在第二SiC层中生成第一应力；并且将具有与 第一电导性相对的第二电导性的第二掺杂剂的 气相的前体引入反应室中以在第二SiC层中生成 第二应力，第二应力与第一应力相对并且平衡第 一应力。SiC晶片因此没有翘曲的影响。 A 5 0 7 1 6 5 4 1